包装:管件,系列:BIMOSFET™,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿（最大值）:3000V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):3.2V @ 15V，55A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:130A,Current - Collector Pulsed (Icm):600A,功率 - 最大值:625W,Switching Energy:-,输入类型:标准,Gate Charge:335nC,Td (on/off) A 25°C:-,Test Condition:-,反向恢复时间 (trr):1.9µs,封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA,安装类型:通孔,供应商器件封装:TO-264

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