包装:管件,系列:BIMOSFET™,IGBT 类型:-,电压 - 集射极击穿（最大值）:1600V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):7.1V @ 15V，20A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:28A,Current - Collector Pulsed (Icm):40A,功率 - 最大值:250W,Switching Energy:-,输入类型:标准,Gate Charge:130nC,Td (on/off) A 25°C:-,Test Condition:-,反向恢复时间 (trr):-,封装/外壳:i4-Pac™-5（3 引线）,安装类型:通孔,供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™

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