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IRLU024N

概述

MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK

厂商

参数

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):65 毫欧 @ 10A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):480pF @ 25V,功率 - 最大值:45W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB,供应商器件封装:I-Pak

引脚图与功能

暂无IRLU024N的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRLU024N的工作原理信息

替代产品

暂无IRLU024N的替代产品信息

PDF资料

暂无IRLU024N的PDF资料信息

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