IRLR110TR技术参数_IRLR110TR资料_IRLR110TR引脚图

IRLR110TR

概述

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

厂商

Vishay Siliconix

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4.3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:540 毫欧 @ 2.6A，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.1nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):250pF @ 25V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:D-Pak