包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:9.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:380 毫欧 @ 5.6A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:5.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):560pF @ 25V,功率 - 最大值:86W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB,供应商器件封装:I-Pak

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