包装:管件,系列:OptiMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):75V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:100A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:6.8 毫欧 @ 80A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):246nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5400pF @ 25V,功率 - 最大值:300W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:PG-TO220-3

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