包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:2 NPN 预偏压（双）,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:600mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:20V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:820 @ 50mA，5V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:150mV @ 2.5mA，50mA,电流 - 集电极截止（最大值）:500nA（ICBO）,频率 - 跃迁:150MHz,功率 - 最大值:300mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-74，SOT-457,供应商器件封装:SMT6

暂无IMH21T110的引脚图与功能信息

暂无IMH21T110的工作原理信息

暂无IMH21T110的替代产品信息

暂无IMH21T110的PDF资料信息