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GB10SLT12-252的技术资料
搜索资料
GB10SLT12-252
概述
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252
厂商
GeneSiC Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,二极管类型:碳化硅肖特基,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200V(1.2kV),电流 - 平均整流 (Io):10A,不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):2V @ 10A,速度:无恢复时间 > 500mA(Io),反向恢复时间 (trr):0ns,不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:40µA @ 1200V,不同 Vr、F 时的电容:520pF @ 1V, 1MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63,供应商器件封装:TO-252
引脚图与功能
暂无GB10SLT12-252的引脚图与功能信息
工作原理
暂无GB10SLT12-252的工作原理信息
替代产品
暂无GB10SLT12-252的替代产品信息
PDF资料
暂无GB10SLT12-252的PDF资料信息
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