系列:-,IGBT 类型:PT,配置:单一,电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2V @ 15V，100A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100A,电流 - 集电极截止（最大值）:1mA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):8.55nF @ 25V,功率 - 最大值:-,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:底座安装,封装/外壳:SOT-227-4,供应商器件封装:SOT-227

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