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FQD12P10TF_NB82105

概述

MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:9.4A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:290 毫欧 @ 4.7A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 25V,功率 - 最大值:2.5W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63,供应商器件封装:D-Pak

引脚图与功能

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工作原理

暂无FQD12P10TF_NB82105的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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