包装:管件,系列:HiPerFET™,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:75A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 50A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 4mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):180nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:-,安装类型:通孔,封装/外壳:i4-Pac™-5,供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™

暂无FMM75-01F的引脚图与功能信息

暂无FMM75-01F的工作原理信息

暂无FMM75-01F的替代产品信息

暂无FMM75-01F的PDF资料信息