系列:-,IGBT 类型:NPT,配置:半桥,电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V,不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.6V @ 15V，30A,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50A,电流 - 集电极截止（最大值）:400µA,不同 Vce 时的输入电容 (Cies):2nF @ 25V,功率 - 最大值:200W,输入:标准,NTC 热敏电阻:无,安装类型:通孔,封装/外壳:i4-Pac™-5,供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC™

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