FDT461N技术参数_FDT461N资料_FDT461N引脚图

FDT461N

概述

MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR),系列:PowerTrench®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:540mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 540mA，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):74pF @ 25V,功率 - 最大值:1.13W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA,供应商器件封装:SOT-223-3