FDG6317NZ技术参数_FDG6317NZ资料_FDG6317NZ引脚图

FDG6317NZ

概述

MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6

厂商

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:700mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:400 毫欧 @ 700mA，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.1nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):66.5pF @ 10V,功率 - 最大值:300mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363,供应商器件封装:SC-70-6

引脚图与功能

暂无FDG6317NZ的引脚图与功能信息

工作原理

暂无FDG6317NZ的工作原理信息

替代产品

暂无FDG6317NZ的替代产品信息

PDF资料

暂无FDG6317NZ的PDF资料信息

FDG6317NZ推荐供应商更多

深圳市雄丰科技电子有限公司
斐熙电子香港有限公司
广州市昊友电子科技有限公司
深圳市宇华科技有限公司
深圳市亿都华电子科技有限公司
深圳市拍明芯城电子有限公司
深圳市杰丰辉电子有限公司
深圳市艾瓦力电子有限公司
深圳市赛明电子有限公司
北京高德信诚科技有限公司
深圳市睿泽诚电子科技有限公司
深圳市微观微电子有限公司
深圳市美泰电子有限公司
深圳市顺科数码科技有限公司
ASC香港电子有限公司
深圳市正伟亿科技有限公司
深圳市美百电子有限公司
深圳市宝能宏业科技有限公司
深圳市科成威电子有限公司
深圳市金科电子商行