FDC6401N技术参数_FDC6401N资料_FDC6401N引脚图

FDC6401N

概述

MOSFET N-CH DUAL 20V SSOT-6

厂商

Fairchild Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:PowerTrench®,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 3A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.6nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):324pF @ 10V,功率 - 最大值:700mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6,供应商器件封装:6-SSOT