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EMZ7T2R

概述

TRANS COMPLEX BIPO NPN/PNP EMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:NPN，PNP,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:12V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA,电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:270 @ 10mA，2V,功率 - 最大值:150mW,频率 - 跃迁:320MHz，260MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-563，SOT-666,供应商器件封装:EMT6