EMD6T2R技术参数_EMD6T2R资料_EMD6T2R引脚图

EMD6T2R

概述

TRANS PNP/NPN 50V 100MA EMT6

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,晶体管类型:1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）,电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA,电压 - 集射极击穿（最大值）:50V,电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k,电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:100 @ 1mA，5V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）:300mV @ 250µA，5mA,电流 - 集电极截止（最大值）:-,频率 - 跃迁:250MHz,功率 - 最大值:150mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-563，SOT-666,供应商器件封装:EMT6