包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:TrenchMOS™,FET 类型:2 个 N 沟道（双）,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:40A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:6 毫欧 @ 25A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35.4nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3281pF @ 25V,功率 - 最大值:68W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT1205，8-LFPAK56,供应商器件封装:LFPAK56D

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