包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:电流感测,漏源极电压 (Vdss):75V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:75A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:10 毫欧 @ 50A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):121nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4700pF @ 25V,功率 - 最大值:272W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB,供应商器件封装:D2PAK

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