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BTS113A

概述

MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB

厂商

Infineon Technologies

参数

包装:管件,系列:TEMPFET®,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:11.5A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:170 毫欧 @ 5.8A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):560pF @ 25V,功率 - 最大值:40W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:P-TO220AB

引脚图与功能

暂无BTS113A的引脚图与功能信息

工作原理

暂无BTS113A的工作原理信息

替代产品

暂无BTS113A的替代产品信息

PDF资料

暂无BTS113A的PDF资料信息

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