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BSP603S2L

概述

MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223

厂商

Infineon Technologies

参数

包装:带卷 (TR),系列:OptiMOS™,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):55V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:5.2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 2.6A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 50µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1390pF @ 25V,功率 - 最大值:1.8W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA,供应商器件封装:PG-SOT223-4