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BSO203SP

概述

MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC

厂商

Infineon Technologies

参数

包装:带卷 (TR),系列:OptiMOS™,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 9A，4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 100µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50.4nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2265pF @ 15V,功率 - 最大值:2.35W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）,供应商器件封装:P-DSO-8

引脚图与功能

暂无BSO203SP的引脚图与功能信息

工作原理

暂无BSO203SP的工作原理信息

替代产品

暂无BSO203SP的替代产品信息

PDF资料

暂无BSO203SP的PDF资料信息

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