BSM180D12P2C101技术参数_BSM180D12P2C101资料_BSM180D12P2C101引脚图

BSM180D12P2C101

概述

SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE

厂商

Rohm Semiconductor

参数

包装:散装,系列:*,FET 类型:2 个 N 通道（半桥）,FET 功能:碳化硅 (SiC),漏源极电压 (Vdss):1200V（1.2kV）,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:180A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:-,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 35.2mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):23000pF @ 10V,功率 - 最大值:1130W,安装类型:*,封装/外壳:模块,供应商器件封装:模块

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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IC技术参数

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