BAS35,215技术参数_BAS35,215资料_BAS35,215引脚图

BAS35,215

概述

DIODE AVAL 90V 250MA TO236AB

厂商

NXP Semiconductors

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1V @ 200mA,不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 90V,电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:250mA（DC）,电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:90V,反向恢复时间 (trr):50ns,二极管类型:雪崩,速度:快速恢复 = 200mA（Io）,二极管配置:1 对共阳极,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3,供应商器件封装:TO-236AB