包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET P 沟道肖特基，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:108 毫欧 @ 3A， 10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):180pF @ 15V,功率 - 最大值:1.45W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘,供应商器件封装:6-DFN-EP（2x2）

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