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AO4611

概述

MOSFET N+P 60V 6.3A/4.9A 8SOIC

厂商

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:N 和 P 沟道,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):60V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.3A,4.9A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):25 毫欧 @ 6.3A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):58nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2300pF @ 30V,功率 - 最大值:2W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽),供应商器件封装:8-SOIC

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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