2SK3387(TE24L,Q)技术参数_2SK3387(TE24L,Q)资料_2SK3387(TE24L,Q)引脚图

当前位置：1kic首页>IC技术参数>2SK3387(TE24L,Q)的技术资料

2SK3387(TE24L,Q)

概述

MOSFET N-CH 150V 18A SC-97

厂商

Toshiba

参数

包装:带卷 (TR),系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动,漏源极电压 (Vdss):150V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:18A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:120 毫欧 @ 9A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):57nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1380pF @ 10V,功率 - 最大值:100W,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SC-97,供应商器件封装:TFP（9.2x10.7）

引脚图与功能

暂无2SK3387(TE24L,Q)的引脚图与功能信息

工作原理

暂无2SK3387(TE24L,Q)的工作原理信息

替代产品

暂无2SK3387(TE24L,Q)的替代产品信息

PDF资料

暂无2SK3387(TE24L,Q)的PDF资料信息

2SK3387(TE24L,Q)推荐供应商更多

暂无2SK3387(TE24L,Q)的供应商

IC技术参数

2JQ 6
2842B
23521
2003F
2JRED
2844A
21002
2SM86
2JS 1
2844B