斯纳达拥有完整的植球工艺，特别是对TI系列PAD内凹封装芯片植球有独到的工艺，如4430FCB13(OMAP4430) X4460BCBS(OMAP4460)等MP4CPU芯片，完美地解决了小间距POP芯片植球难题，目前在国内外处在领先地位。


植球工艺宝典： 
　　A、第一步，要分清IC是有铅还是无铅工艺，否则IC污染后达不到RoHS要求，造成的后果极为严重； 
　　B、第二步，植球前要做好烘烤，IC的封装材料一般为塑料或陶瓷，在室温下容易吸潮，如果在植球前没有烘烤，极易导致IC分层损坏芯片，行业俗称“爆米花”现象； 
　　C、植球后，焊接要根据锡球的化学成份，设置好相应的温度，否则容易造成植球不牢、不直、球不圆等不良现象； 
　　3.1、有铅锡球（Sn63Pb37，锡63%铅37%）熔点183℃。 
　　3.2、无铅锡球（Sn96.5AG3Cu0.5，锡96.5%银3%铜0.5%）熔点217℃。 
　　D、植好球的IC一般要做短时间的烘烤，以去除IC表面吸附的湿汽，烘烤完成后要及时放入防潮箱、真空包装或卷带包装，以免回潮导致IC贴装时分层损坏IC； 
　　 
　　注意事项：用风枪直接加热时，注意调整风枪温度，首先要对钢网整面均匀加热。否则会造成钢网变形，影响植球质量。






BGA返修治具(刮锡植球工艺)
产品特点： 
1.高精度CNC加工,使芯片定位精准； 
2.激光钢网,孔径更加精密,不会有大小孔,卡球挤球的现象； 
3.上盖带一个锡球倒出槽，该结构方便将上盖内多余的锡球倒出； 
4.上盖内部还有一个锡球储存室，该结构使倒入的多余锡球不必每次都倒出来，而是储存在该结构中，提高了生产效率； 
5.外观设计大方，多年的从业经验，结构设计合理； 
6.专利产品，8项专利保护(专利号201120194711.9)；