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PSMN4R8-100BSE 的求购信息

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时 间:2018-01-11

型 号:PSMN4R8-100BSE

厂    家:NXP 封  装: TO263 批  号:

目标价:¥

备    注:要求进口原装 电话:0755-6166192

型号 厂家 封装 一级分类 二级分类 参数
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 100V D2PAK
分立式半导体产品
FET - 单
包装:*可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.8 毫欧 @ 25A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):278nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14400pF @ 50V,功率 - 最大值:405W,安装类型:*,封装/外壳:*,供应商器件封装:*
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 100V D2PAK
分立式半导体产品
FET - 单
包装:*可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.8 毫欧 @ 25A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):278nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14400pF @ 50V,功率 - 最大值:405W,安装类型:*,封装/外壳:*,供应商器件封装:*
NXP Semiconductors
MOSFET N-CH 100V D2PAK
分立式半导体产品
FET - 单
包装:*可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):100V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):120A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.8 毫欧 @ 25A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):278nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14400pF @ 50V,功率 - 最大值:405W,安装类型:*,封装/外壳:*,供应商器件封装:*
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