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VISHAY

Array Electronics (China) Ltd.ZhongGuanCun, South AvenueRoom 1503, Building A, Cyber Tower, No.2Beijing, ChinaPhone: 86-10-8251Fax: 86-10-8251-1739Array Electronics (China) Ltd.55 Huaihai Rd. West, Sun Tong Infoport Plaz

一级分类:分立式半导体产品 二级分类:FET - 单 型号:TP0101K-T1-E3 厂家: Vishay Siliconix 封装:MOSFET P-CH 20V 580MA SOT23-3 参数:包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:TrenchFET®,FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):580mA,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):650 毫欧 @ 580mA,4.5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 50µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.2nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-,功率 - 最大值:350mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3,供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

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