制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 46 A

Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 93 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 227 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

封装: Tube

高度: 21.1 mm

长度: 16.13 mm

系列: CoolMOS C7

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5.21 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 7 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 14 ns

工厂包装数量: 240

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 82 ns

典型接通延迟时间: 20 ns

零件号别名: IPW65R045C7FKSA1 SP000929412

单位重量: 38 g