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S3N

概述

DIODE GEN PURP 1.2KV 3A DO214AB

厂商

参数

包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,二极管类型:标准,电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):1200V(1.2kV),电流 - 平均整流 (Io):3A,不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.2V @ 3A,速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io),反向恢复时间 (trr):2.5µs,不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:5µA @ 1200V,不同 Vr、F 时的电容:60pF @ 4V,1MHz,安装类型:表面贴装,封装/外壳:DO-214AB,SMC,供应商器件封装:DO-214AB,(SMC)

引脚图与功能

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工作原理

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替代产品

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PDF资料

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