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IRFBE30

概述

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB

厂商

Vishay Siliconix

参数

包装:管件,系列:-,FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物,FET 功能:标准,漏源极电压 (Vdss):800V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:4.1A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:3 欧姆 @ 2.5A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):78nC @ 10V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1300pF @ 25V,功率 - 最大值:125W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

引脚图与功能

暂无IRFBE30的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRFBE30的工作原理信息

替代产品

暂无IRFBE30的替代产品信息

PDF资料

暂无IRFBE30的PDF资料信息

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