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IRF3711

概述

MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB

厂商

参数

包装:管件,系列:HEXFET®,FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):20V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):110A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 15A,10V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):44nC @ 4.5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2980pF @ 10V,功率 - 最大值:3.1W,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB

引脚图与功能

暂无IRF3711的引脚图与功能信息

工作原理

暂无IRF3711的工作原理信息

替代产品

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PDF资料

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