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BD810的技术资料
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BD810
概述
TRANS PNP 80V 10A BIPO TO-220AB
厂商
ON Semiconductor
参数
包装:管件,系列:-,晶体管类型:PNP,电流 - 集电极 (Ic)(最大值):10A,电压 - 集射极击穿(最大值):80V,不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):1.1V @ 300mA,3A,电流 - 集电极截止(最大值):-,不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):15 @ 4A,2V,功率 - 最大值:90W,频率 - 跃迁:1.5MHz,安装类型:通孔,封装/外壳:TO-220-3,供应商器件封装:TO-220AB
引脚图与功能
暂无BD810的引脚图与功能信息
工作原理
暂无BD810的工作原理信息
替代产品
暂无BD810的替代产品信息
PDF资料
暂无BD810的PDF资料信息
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