NTR1P02LT1G数据表

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 1.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 2.5 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 700 mV

Qg-栅极电荷: 3.1 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 400 mW

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.94 mm

长度: 2.9 mm

产品: MOSFET Small Signal

系列: NTR1P02L

晶体管类型: 1 P-Channel

类型: MOSFET

宽度: 1.3 mm

商标: ON Semiconductor

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 18 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

单位重量: 8 mg